Le SS est défini comme :
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
où:
* $$V_{gs}$$ est la tension grille-source
* $$I_{ds}$$ est le courant drain-source
Le SS est généralement mesuré en millivolts par décennie. Un SS inférieur indique un MOSFET plus efficace, car il nécessite moins d'oscillations de tension pour modifier le courant de drain.
Le SS est affecté par plusieurs facteurs, notamment :
* L'épaisseur de l'oxyde de grille
* Le dopage des régions source et drain
* La longueur du canal
* La température
L'épaisseur de l'oxyde de grille est le facteur le plus important affectant le SS. Un oxyde de grille plus fin entraîne une SS inférieure. Cependant, un oxyde de grille plus fin rend également le MOSFET plus vulnérable aux pannes.
Le dopage des régions source et drain affecte également le SS. Une concentration de dopage plus élevée entraîne un SS plus faible. Cependant, une concentration de dopage plus élevée augmente également la résistance parasite du MOSFET, ce qui peut dégrader ses performances.
La longueur du canal est un autre facteur important affectant le SS. Une longueur de canal plus courte entraîne un SS inférieur. Cependant, une longueur de canal plus courte rend également le MOSFET plus sensible aux effets de canal court, ce qui peut dégrader ses performances.
La température affecte également le SS. Une température plus élevée entraîne une SS plus élevée. En effet, la mobilité des porteurs de charge dans le MOSFET diminue à mesure que la température augmente, ce qui rend plus difficile pour le MOSFET la commutation entre les états activé et désactivé.
Le SS est une valeur importante pour les MOSFET, car il indique l'efficacité avec laquelle ils peuvent basculer entre les états activé et désactivé. En optimisant la conception du MOSFET, il est possible d'obtenir un faible SS, ce qui peut améliorer les performances du MOSFET.